Minimização dos efeitos de elementos parasitas em circuitos de Double Pulse Test para GaN HEMT
DOI:
https://doi.org/10.18618/REP.e202541Keywords:
Teste de pulso duplo, DPT, banda larga, WBG, efeitos parasitas, transistores de GaNAbstract
O presente trabalho busca apresentar pontos críticos existentes no desenvolvimento de protótipos Double Pulse Test (DPT) para caracterização de interruptores de GaN. O estado da arte é abordado com foco na exposição dos tipos do interruptor de GaN e suas características físicas. É explicado o funcionamento do circuito DPT e a forma como ele é utilizado para os testes do interruptor. O layout da primeira versão do protótipo é desenvolvido e os componentes são selecionados visando minimizar elementos parasitas. A partir dos resultados do primeiro protótipo, um segundo circuito DPT mais compacto é desenvolvido para reduzir indutâncias das trilhas e quantidade de componentes. Essas melhorias impactam no sinal de sobretensão e oscilações do interruptor de GaN sob teste. Uma terceira versão, mais compacta do circuito DPT é desenvolvida em configuração Meia Ponte, substituindo o diodo de roda livre de SiC por um interruptor de GaN, com as mesmas características do dispositivo sob teste, para comparação com os protótipos anteriores. Detalhes experimentais dos três protótipos são apresentados. É evidenciado o impacto nas transições turn-off e turn-on para os níveis de tensão de 200 V e corrente de 10 A, bem como o tempo de transição durante as comutações para as três implementações de circuito DPT, com correntes de 1 a 10 A e tensões de 100 V, 200 V e 275 V. Também é detalhado o modo de condução reversa do protótipo DPT Meia Ponte para 10 A e 100 V.
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A. Lidow, J. Strydom, M. Rooij, and D. Reusch, “GaN Transistors for Efficient Power Conversion”. 2o ed. California, USA, 2015. DOI: https://doi.org/10.1002/9781118844779
M. Asif Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, “High electron mobility transistor based on a GaN-AlxGa1-xN heterojunction,”, Applied Physics Letters, vol. 63, no. 9, pp. 1214–1215, 1993. Doi: 10.1063/1.109775 DOI: https://doi.org/10.1063/1.109775
M. Asif Khan, Q. Chen, C. J. Sun, J. W. Yang, M. Blasingame, M. S. Shur, and H. Park, “Enhancement and depletion mode GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors”, Applied Physics Letters, vol. 68, no. 4, pp. 514-516, 1996. Doi: 10.1063/1.116384 DOI: https://doi.org/10.1063/1.116384
W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, and I. Omura, “Recessed-gate structure approach toward normally off high-voltage AlGaN/GaN HEMT for power electronics applications”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 53, no. 2, pp. 356–362, 2006. Doi: 10.1109/TED.2005.862708 DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2005.862708
Y. Cai, Y. Zhou, K. J. Chen, and K. M. Lau, “High-Performance Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs Using Fluoride-Based Plasma Treatment”, IEEE Electron Device Letters, vol. 26, no. 7, pp. 435–437, 2005. Doi: 10.1109/LED.2005.851122 DOI: https://doi.org/10.1109/LED.2005.851122
X. Hu, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, “Enhancement mode AlGaN/GaN HFET with selectively grown pn junction gate”, IEEE Electronics Letters, vol. 36, no. 8, pp. 753–754, 2000. Doi: 10.1049/el:20000557 DOI: https://doi.org/10.1049/el:20000557
Y. Uemoto, M. Hikita, H. Ueno, H. Matsuo, H. Ishida, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, “Gate Injection Transistor (GIT)—A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 54, no. 12, pp. 3393– 3399, 2007. Doi: 10.1109/TED.2007.908601 DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2007.908601
L. Efthymiou, G. Longobardi, G. Camuso, T. Chien, M. Chien, and F. Udrea, “On the physical operation and optimization of the p-GaN gate in normally-off GaN HEMT devices”, Applied Physics Letters, vol. 110, no. 12, pp. 1–5, 2017. Doi: 10.1063/1.4978690 DOI: https://doi.org/10.1063/1.4978690
M. R. Hontz, R. Chu, R. Khanna, “TCAD modeling of a lateral GaN HEMT using empirical data”, IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, vol. Mar, pp. 244–248, 2018. Doi: 10.1109/APEC.2018.8341017 DOI: https://doi.org/10.1109/APEC.2018.8341017
H. Li, C. Yao, C. Han, J. A. Brothers, X. Zhang, and J. Wang, “Evaluation of 600 V GaN Based Gate Injection Transistors for High Temperature and High Efficiency Applications”, IEEE 3rd Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), pp.85–91, 2015. Doi: 10.1109/WiPDA.2015.7369300 DOI: https://doi.org/10.1109/WiPDA.2015.7369300
K. Li, P. Evans, and M. Johnson, “Characterisation and Modelling of Gallium Nitride Power Semiconductor Devices Dynamic On-state Resistance”, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 33, no. 6, pp. 5262–5273, 2018. Doi: 10.1109/TPEL.2017.2730260 DOI: https://doi.org/10.1109/TPEL.2017.2730260
K. Tanaka, T. Morita, H. Umeda, S. Tamura, H. Ishida, M. Ishida, and T. Ueda, “Mechanism of Current-Collapse-Free Operation in E-Mode GaN Gate Injection Transistors Employed for Efficient Power Conversion”, IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), pp.1–4, 2016. Doi: 10.1109/CSICS.2016.7751053 DOI: https://doi.org/10.1109/CSICS.2016.7751053
K. Tanaka, H. Umeda, H. Ishida, M. Ishida, and T. Ueda, “Effects of hole traps on the temperature dependence of current collapse in a normally-OFF gate-injection transistor Effects of hole traps on the temperature dependence of current collapse in a normally-OFF gate injection transistor”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 054101, no. 55, pp. 1–8, 2016. Doi: 10.7567/JJAP.55.054101 DOI: https://doi.org/10.7567/JJAP.55.054101
R. Li, X. Wu, S. Yang, K. Sheng, and K. Sheng, “Dynamic On-state Resistance Test and Evaluation of GaN Power Devices under Hard and Soft Switching Conditions by Double and Multiple Pulses”, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 34, no. 2, pp. 1044–1053, 2019. Doi: 10.1109/TPEL.2018.2844302 DOI: https://doi.org/10.1109/TPEL.2018.2844302
T. Cappello, A. Santarelli, and C. Florian,”Dynamic RON Characterization Technique for the Evaluation of Thermal and Off-State Voltage Stress of GaN Switches”, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 33, no. 4, pp. 3386–3398, 2018. Doi: 10.1109/TPEL.2017.2710281 DOI: https://doi.org/10.1109/TPEL.2017.2710281
K. Tanaka, T. Morita, H. Umeda, S. Kaneko, M. Kuroda, A. Ikoshi, H. Yamagiwa, H. Okita, M. Hikita, M. Yanagihara, Y. Uemoto, S. Takahashi, H. Ueno, H. Ishida, M. Ishida, and T. Ueda, “Suppression of current collapse by hole injection from drain in a normally-off GaN-based hybrid-drain-embedded gate injection transistor”, Applied Physics Letters, vol. 107, pp. 163502-1-163502–5, 2015. Doi: 10.1063/1.4934184 DOI: https://doi.org/10.1063/1.4934184
T. Morita, M. Yanagihara, H. Ishida, M. Hikita, K. Kaibara, H. Matsuo, Y. Uemoto, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, “ 650V 3.1 mΩcm² GaN-based Monolithic Bidirectional Switch Using Normally-off Gate Injection Transistor”, IEEE International Electron Devices Meeting, pp. 865–868, 2007. Doi: 10.1109/IEDM.2007.4419086 DOI: https://doi.org/10.1109/IEDM.2007.4419086
S. S. Ahmad, and G. Narayanan, “Double pulse test based switching characterization of SiC MOSFET. National Power Electronics Conference (NPEC), pp. 319–324, 2017. Doi: 10.1109/NPEC.2017.8310478 DOI: https://doi.org/10.1109/NPEC.2017.8310478
T. Yao, and R. Ayyanar, “A Multifunctional Double Pulse Tester for Cascode GaN Devices” IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 64, no. 11, pp. 9023–9031, 2017. Doi: 10.1109/TIE.2017.2694381 DOI: https://doi.org/10.1109/TIE.2017.2694381
E. A. Jones, F. Wang, D. Costinett, "Review of commercial GaN Power Devices and GaN Based converter design challenges". IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 4, no. 3, pp.707-719, 2016. Doi: 10.1109/JESTPE.2016.2582685 DOI: https://doi.org/10.1109/JESTPE.2016.2582685
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