Aplicação de Módulo Semicondutores Híbridos em Acionamentos Elétricos

Authors

  • Fábio A. Pongelupe Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Centro Federal de Educação Tecnológica de Minas Gerais (CEFET-MG), Belo Horizonte, MG, Brasil.
  • Allan F. Cupertino Departamento de Engenharia de Materiais, Centro Federal de Educação Tecnológica de Minas Gerais (CEFET-MG), Belo Horizonte, MG, Brasil.
  • Heverton A. Pereira Departamento de Engenharia Elétrica, Universidade Federal de Viçosa (UFV), Viçosa, MG, Brasil.

DOI:

https://doi.org/10.18618/REP.2021.3.0063

Keywords:

Acionamentos elétricos, Modelo comportamental, Módulo semicondutor híbrido, SiC MOSFET

Abstract

Módulos semicondutores híbridos consistem em dispositivos que combinam interruptores de silício com interruptores de algum material semicondutor de larga banda proibida (do inglês, wide band gap (WBG)), proporcionando a obtenção de soluções com um melhor custo benefício. Esta abordagem permite estender os limites da tecnologia baseada em silício, proporcionando um custo mais competitivo do que os módulos baseados exclusivamente em materiais WBG. Este artigo propõe uma metodologia de seleção de interruptores para compor um par híbrido formado por um Si-IGBT e um SiC-MOSFET, os quais são utilizados para acionar um motor de indução de 440 V e 300 HP. Dentre as combinações analisadas, foram escolhidas duas soluções híbridas com potencial de redução de perdas, as quais são comparadas com as soluções Si e SiC de mesma corrente disponíveis no mercado. As comparações são feitas a partir de um perfil de operação diário real de acionamento elétrico de um exaustor. Os resultados demonstraram uma potencial redução de perdas energéticas diárias de 45% em relação aos módulos originais de silício, além de apresentar um custo inicial intermediário entre as soluções baseadas em Si-IGBT e SiC-MOSFET.

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Author Biographies

Fábio A. Pongelupe, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Centro Federal de Educação Tecnológica de Minas Gerais (CEFET-MG), Belo Horizonte, MG, Brasil.

possui graduação em Engenharia Elétrica (2018) e realiza mestrado em Engenharia Elétrica pelo Centro Federal de Educação Tecnológica de Minas Gerais (CEFET-MG). Atualmente, é engenheiro de aplicação na empresa Cadence Design Systems. Seus principais interesses de pesquisa incluem dispositivos WBG e suas aplicações, projeto de módulos semicondutores e integridade de potência.

Allan F. Cupertino, Departamento de Engenharia de Materiais, Centro Federal de Educação Tecnológica de Minas Gerais (CEFET-MG), Belo Horizonte, MG, Brasil.

possui graduação em Engenharia Elétrica (2013) pela Universidade Federal de Viçosa (UFV), mestrado (2015) e doutorado (2019) em Engenharia Elétrica pela Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG). Realizou doutorado sanduíche na Aalborg University, Dinamarca. Desde 2014 é professor no Centro Federal de Educação Tecnológica de Minas Gerais (CEFET-MG), atuando na área de máquinas elétricas e eletrônica de potência. Seus principais interesses de pesquisa incluem conversores modulares multinível e suas aplicações, energia solar fotovoltaica, sistemas de armazenamento de energia por baterias e confiabilidade de conversores eletrônicos.

Heverton A. Pereira, Departamento de Engenharia Elétrica, Universidade Federal de Viçosa (UFV), Viçosa, MG, Brasil.

possui graduação em Engenharia Elétrica (2007) pela Universidade Federal de Viçosa (UFV), mestrado em Engenharia Elétrica (2009) pela Universidade de Campinas (UNICAMP) e doutorado em Engenharia Elétrica (2015) pela Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG). Realizou doutorado sanduíche (2014) na Aalborg University, Dinamarca. Desde 2009 é professor na Universidade Federal de Viçosa. Seus principais interesses de pesquisa incluem conversores conectados à rede para sistemas de energia fotovoltaica e eólica e sistemas de transmissão de alta tensão baseados em MMC.

References

[ 1]K. Takao, S. Harada, T. Shinohe, H. Ohashi,"Performance evaluation of all SiC power convertersfor realizing high power density of 50 W/cm3",2010International Power Electronics Conference - ECCEAsia -, IPEC 2010, pp. 2128-2134, Junho 2010. https://doi.org/10.1109/IPEC.2010.5543727 DOI: https://doi.org/10.1109/IPEC.2010.5543727

[ 2]L. Mendizabal, I. Kortazar, I. Larrazabal, I. Zubimendi,G. Nunez, "DC output wind turbine demonstrator,based on isolated DC-DC converter with SiliconCarbide semiconductors",20th European Conferenceon Power Electronics and Applications, EPE 2018ECCE Europe, pp. 1-9, Setembro 2018.

[ 3]B. Whitaker, A. Barkley, Z. Cole, B. Passmore,T. McNutt, A. B. Lostetter, "A high-frequency,high-efficiency silicon carbide based phase-shiftedfull-bridge converter as a core component fora high-density on-board vehicle battery chargingsystem",IEEE ECCE Asia Downunder - 5th IEEEAnnual International Energy Conversion Congress andExhibition, IEEE ECCE Asia 2013, pp. 1233-1239,Junho 2013, https://doi.org/10.1109/ECCE-Asia.2013.6579266 DOI: https://doi.org/10.1109/ECCE-Asia.2013.6579266

[ 4]A. Bindra, "Wide Bandgap Power Devices:Adoptiongathers Momentum",IEEE Power ElectronicsMagazine, , no. 1, p. 22 to 27, Fevereiro 2018. https://doi.org/10.1109/MPEL.2017.2782404

[ 5]F. Roccaforte, P. Fiorenza, G. Greco, R. L. Nigro,F. Giannazzo, A. Patti, M. Saggio, "Challenges forenergy efficient wide band gap semiconductor powerdevices", , Maio 2014, https://doi.org/10.1002/pssa.201300558 DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.201300558

[ 6]A. Kadavelugu, U. Raheja, M. Mobarrez, E. Aeloiza,R. Rodrigues, "SiC versus Si freewheeling diodes:A comparative study of their impact on IGBT VCEovershoot in 3-level T-type power converters",IEEE7th Workshop on Wide Bandgap Power Devices andApplications, WiPDA 2019, pp. 219-224, Outubro2019, https://doi.org/10.1109/WiPDA46397.2019.8998944 DOI: https://doi.org/10.1109/WiPDA46397.2019.8998944

[ 7]Y. K. Sharma, P. M. Croft, L. Ngwendson,L. Coulbeck, M. Birkett, Z. Crrc, T. Elctric,"Comparison of Hybrid 3.3kV Si-IGBT / SiC-Schottkyand 3.3kV Si-IGBT/Si technologies",20th EuropeanConference on Power Electronics and Applications(EPE'18 ECCE Europe), pp. P.1-P.9, Setembro 2018, https://doi.org/10.1109/MPEL.2017.2782404 DOI: https://doi.org/10.1109/MPEL.2017.2782404

[ 8]L. Amber, K. Haddad, "Hybrid Si IGBT-SiCSchottky diode modules for medium to highpower applications",Conference Proceedings -IEEE Applied Power Electronics Conference andExposition - APEC, pp. 3027-3032, Março 2017, https://doi.org/10.1109/APEC.2017.7931127 DOI: https://doi.org/10.1109/APEC.2017.7931127

[ 9]H. Mirzaee, S. Bhattacharya, S. H. Ryu,A. Agarwal, "Design comparison of 6.5 kVSi-IGBT, 6.5kV SiC JBS diode, and 10 kV SiCMOSFETs in megawatt converters for shipboardpower system",IEEE Electric Ship TechnologiesSymposium, ESTS 2011, pp. 248-253, Abril 2011, https://doi.org/10.1109/ESTS.2011.5770876 DOI: https://doi.org/10.1109/ESTS.2011.5770876

[ 10]A. Q. Huang, X. Song, L. Zhang, "6.5 kVSi/SiC hybrid power module: An ideal next step?",IEEE International Workshop on Integrated PowerPackaging, IWIPP 2015, pp. 64-67, Maio 2015, https://doi.org/10.1109/IWIPP.2015.7295979 DOI: https://doi.org/10.1109/IWIPP.2015.7295979

[ 11]M. Rahimo, F. Canales, R. A. Minamisawa,C. Papadopoulos, U. Vemulapati, A. Mihaila,S. Kicin, U. Drofenik, "Characterization of a SiliconIGBT and Silicon Carbide MOSFET Cross-switchhybrid",IEEE Transactions on Power Electronics,vol. 30, no. 9, pp. 4638-4642, Fevereiro 2015, https://doi.org/10.1109/TPEL.2015.2402595 DOI: https://doi.org/10.1109/TPEL.2015.2402595

[ 12]A. Deshpande, F. Luo, "Design of a silicon-WBGhybrid switch",WiPDA 2015 - 3rd IEEEWorkshop on Wide Bandgap Power Devicesand Applications, pp. 296-299, Novembro 2015, https://doi.org/10.1109/WiPDA.2015.7369319 DOI: https://doi.org/10.1109/WiPDA.2015.7369319

[ 13]T. Zhao, J. He, "An optimal switching patternfor 'SiC+Si' hybrid device based Voltage SourceConverters",Conference Proceedings - IEEE AppliedPower Electronics Conference and Exposition - APEC,vol. 2015, no. May, pp. 1276-1281, Março 2015,https://doi.org/10.1109/APEC.2015.7104512 DOI: https://doi.org/10.1109/APEC.2015.7104512

[ 14]X. Song, L. Zhang, A. Q. Huang, "Three-TerminalSi/SiC Hybrid Switch",IEEE Transactions on PowerElectronics, vol. 35, no. 9, pp. 8867-8871, Janeiro2020, https://doi.org/10.1109/TPEL.2020.2969895 DOI: https://doi.org/10.1109/TPEL.2020.2969895

[ 15]A. Deshpande, F. Luo, "Practical DesignConsiderations for a Si IGBT + SiC MOSFET HybridSwitch: Parasitic Interconnect Influences, Cost, andCurrent Ratio Optimization",IEEE Transactions onPower Electronics, vol. 34, no. 1, pp. 724-737, Janeiro2019, https://doi.org/10.1109/TPEL.2018.2827989 DOI: https://doi.org/10.1109/TPEL.2018.2827989

[ 16]L. Li, P. Ning, X. Wen, Q. Ge, Y. Li, "A30kW three-phase voltage source inverter basedon the si IGBT/SiC MOSFET hybrid switch",Conference Proceedings - IEEE Applied PowerElectronics Conference and Exposition - APEC,vol. 2019-March, pp. 1397-1401, Março 2019, https://doi.org/10.1109/APEC.2019.8721835 DOI: https://doi.org/10.1109/APEC.2019.8721835

[ 17]B. Jayant Baliga,Fundamentals of PowerSemiconductors, Springer, New York, Março 2008. https://doi.org/10.1007/978-0-387-47314-7 DOI: https://doi.org/10.1007/978-0-387-47314-7

[ 18]R. Kraus, P. Tiirkes, J. Sigg, "Physics-Based Modelsof Power Semiconductors for the Circuit SimulatorSPICE",PESC 98 Record 29th Annual IEEE PowerElectronics Specialists Conference, pp. 1726-1731,Maio 1998, https://doi.org/10.1109/PESC.1998.703414 DOI: https://doi.org/10.1109/PESC.1998.703414

[ 19]S. Pendharkar, K. Shenai, "Zero voltage switchingbehavior of punchthrough and nonpunchthroughinsulated gate bipolar transistors (IGBT's)",IEEETransactions on Electron Devices, vol. 45, no. 8, pp.1826-1835, 1998, https://doi.org/10.1109/16.704385 DOI: https://doi.org/10.1109/16.704385

[ 20]J. Pedra, F. Corcoles, "Estimation of inductionmotor double-cage model parameters frommanufacturer data",IEEE Transactions on EnergyConversion, vol. 19, no. 2, pp. 310-317, Junho 2004, https://doi.org/10.1109/TEC.2003.822314 DOI: https://doi.org/10.1109/TEC.2003.822314

[ 21]D. W. Novotny, T. Lipo,Vector Control and Dynamicsof AC Drives, Clarendon Press, 1996. https://doi.org/10.1093/oso/9780198564393.001.0001 DOI: https://doi.org/10.1093/oso/9780198564393.001.0001

Published

2021-09-30

How to Cite

[1]
F. A. Pongelupe, A. F. Cupertino, and H. A. Pereira, “Aplicação de Módulo Semicondutores Híbridos em Acionamentos Elétricos”, Eletrônica de Potência, vol. 26, no. 3, pp. 250–259, Sep. 2021.

Issue

Section

Original Papers